{"id":18221,"date":"2026-09-14T08:32:41","date_gmt":"2026-09-14T11:32:41","guid":{"rendered":"http:\/\/laf5.publisher.highstack.com.ar\/?p=18221"},"modified":"2026-09-14T08:32:41","modified_gmt":"2026-09-14T11:32:41","slug":"china-logra-un-avance-clave-en-las-memorias-de-wurtzita-superan-los-10-000-millones-de-ciclos","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/laf5.publisher.highstack.com.ar\/?p=18221","title":{"rendered":"China logra un avance clave en las memorias de wurtzita: superan los 10.000 millones de ciclos"},"content":{"rendered":"<div>\n<h2>La wurtzita aparece como candidata para las memorias del futuro<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">La wurtzita no es un elemento qu\u00edmico, sino una estructura cristalina que pueden adoptar determinados materiales. Algunos de ellos, como el nitruro de aluminio y escandio (AlScN), presentan propiedades ferroel\u00e9ctricas especialmente interesantes para el desarrollo de nuevos tipos de memoria.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Estos materiales pueden mantener dos estados diferentes de polarizaci\u00f3n el\u00e9ctrica, que pueden utilizarse para representar los unos y ceros de la informaci\u00f3n digital. Adem\u00e1s, conservan estos estados incluso cuando dejan de recibir energ\u00eda, por lo que podr\u00edan utilizarse para fabricar memorias no vol\u00e1tiles.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">El AlScN se estudia especialmente por su elevada polarizaci\u00f3n remanente y por la posibilidad de desarrollar dispositivos m\u00e1s peque\u00f1os, r\u00e1pidos y eficientes. Sin embargo, todav\u00eda existe un problema importante que limita su aplicaci\u00f3n comercial: su degradaci\u00f3n despu\u00e9s de una gran cantidad de ciclos de escritura.<\/p>\n<figure id=\"attachment_2000257709\" aria-describedby=\"caption-attachment-2000257709\" class=\"wp-caption alignnone\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" class=\"size-full wp-image-2000257709\" src=\"https:\/\/es.gizmodo.com\/app\/uploads\/2026\/09\/Gizmodo-49-3.jpg\" alt=\"China logra un avance clave en las memorias de wurtzita: superan los 10.000 millones de ciclos\" width=\"1500\" height=\"1000\" srcset=\"https:\/\/es.gizmodo.com\/app\/uploads\/2026\/09\/Gizmodo-49-3.jpg 1500w, https:\/\/es.gizmodo.com\/app\/uploads\/2026\/09\/Gizmodo-49-3-300x200.jpg 300w, https:\/\/es.gizmodo.com\/app\/uploads\/2026\/09\/Gizmodo-49-3-1024x683.jpg 1024w, https:\/\/es.gizmodo.com\/app\/uploads\/2026\/09\/Gizmodo-49-3-768x512.jpg 768w, https:\/\/es.gizmodo.com\/app\/uploads\/2026\/09\/Gizmodo-49-3-672x448.jpg 672w, https:\/\/es.gizmodo.com\/app\/uploads\/2026\/09\/Gizmodo-49-3-960x640.jpg 960w\" sizes=\"auto, (max-width: 639px) 100vw, (max-width: 1023px) calc(100vw - 2rem), (max-width: 1258px) calc((100vw - 3.68rem) * 2 \/ 3), 800px\"\/><figcaption id=\"caption-attachment-2000257709\" class=\"wp-caption-text\">\u00a9 Micron Technology \u2013 Youtube.<\/figcaption><\/figure>\n<h2>El problema estaba en las vacantes de nitr\u00f3geno<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Un equipo de investigadores de la Universidad de Xidian, en China, estudi\u00f3 qu\u00e9 sucede dentro de estos materiales durante su funcionamiento y detect\u00f3 que parte de la degradaci\u00f3n est\u00e1 relacionada con las llamadas vacantes de nitr\u00f3geno.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Se trata de defectos presentes en la estructura cristalina que pueden moverse y acumularse cuando el dispositivo es sometido continuamente a campos el\u00e9ctricos. Con el tiempo, este movimiento afecta el comportamiento del material y puede terminar reduciendo considerablemente su vida \u00fatil.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Para resolverlo, los cient\u00edficos dise\u00f1aron una superred formada por capas de AlScN y nitruro de aluminio (AlN). Esta arquitectura permite confinar las vacantes de nitr\u00f3geno y reducir su desplazamiento dentro del dispositivo.<\/p>\n<h2>M\u00e1s de 10.000 millones de ciclos de escritura<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">La nueva estructura consigui\u00f3 superar los 10.000 millones de ciclos de escritura manteniendo sus propiedades ferroel\u00e9ctricas. Adem\u00e1s del dise\u00f1o de la superred, los investigadores utilizaron un protocolo de recuperaci\u00f3n din\u00e1mica.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">El procedimiento introduce determinados per\u00edodos de recuperaci\u00f3n el\u00e9ctrica durante el funcionamiento del dispositivo. Estos peque\u00f1os \u201cdescansos\u201d permiten estabilizar nuevamente algunos de los defectos generados durante la escritura y ayudan a prolongar la vida \u00fatil del material.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">No es la primera vez que un dispositivo basado en AlScN supera los 10.000 millones de ciclos. A comienzos de 2026 otro grupo de investigadores alcanz\u00f3 valores similares utilizando condensadores ferroel\u00e9ctricos extremadamente peque\u00f1os. Sin embargo, el trabajo de Xidian resulta especialmente interesante porque propone una estrategia para actuar directamente sobre uno de los mecanismos responsables de la degradaci\u00f3n.<\/p>\n<div class=\"not-prose video-container\"><noscript><iframe loading=\"lazy\" title=\"Making Memory Chips \u2013 Semiconductor manufacturing process\" width=\"500\" height=\"281\" src=\"https:\/\/www.youtube-nocookie.com\/embed\/M-wNC3Z3ZX4?feature=oembed\" frameborder=\"0\" allow=\"accelerometer; autoplay; clipboard-write; encrypted-media; gyroscope; picture-in-picture; web-share\" referrerpolicy=\"strict-origin-when-cross-origin\" allowfullscreen=\"\"><\/iframe><\/noscript><\/div>\n<h2>China busca posicionarse en la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de memorias<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">El avance todav\u00eda se encuentra en una etapa experimental y no significa que las memorias basadas en wurtzita vayan a reemplazar inmediatamente a tecnolog\u00edas como DRAM, NAND o HBM.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Antes de llegar a productos comerciales ser\u00e1 necesario resolver cuestiones relacionadas con la fabricaci\u00f3n a gran escala, la densidad de almacenamiento, el consumo energ\u00e9tico y la velocidad de funcionamiento.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Sin embargo, superar una resistencia de m\u00e1s de 10.000 millones de ciclos elimina una de las principales barreras que enfrentaba esta tecnolog\u00eda.<\/p>\n<p>Para China, este tipo de investigaci\u00f3n tambi\u00e9n tiene un componente estrat\u00e9gico. El pa\u00eds busca reducir su dependencia de proveedores extranjeros de semiconductores y memorias avanzadas. Si las memorias ferroel\u00e9ctricas de wurtzita terminan convirti\u00e9ndose en una tecnolog\u00eda relevante, China podr\u00eda posicionarse desde una etapa temprana en una nueva carrera tecnol\u00f3gica dentro de la industria de los chips.<\/p>\n<p>\u00a0<\/p>\n<p>\u00a0<\/p>\n<p>Fuente: Xataka.<\/p>\n<\/p><\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>La wurtzita aparece como candidata para las memorias del futuro La wurtzita no es un elemento qu\u00edmico, sino una estructura cristalina que pueden adoptar determinados materiales. Algunos de ellos, como el nitruro de aluminio y escandio (AlScN), presentan propiedades ferroel\u00e9ctricas especialmente interesantes para el desarrollo de nuevos tipos de memoria. 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